图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTMFD4902NF |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 13.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1150pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-DFN (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8DFN EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 13.5@Q 1|17.5@Q 2 A |
| RDS -于 | 6.5@10V@Q 1|4.1@10V@Q 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 9@Q 1|6@Q 1|10.5@Q 2|7@Q 2 ns |
| 典型上升时间 | 15@Q 1|14@Q 1|15.2@Q 2|14@Q 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14@Q 1|17@Q 1|17.7@Q 2|22@Q 2 ns |
| 典型下降时间 | 4@Q 1|3@Q 1|4.7@Q 2|3.3@Q 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 6.1(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1100@Q 1|1160@Q 2 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6.5@10V@Q 1|4.1@10V@Q 2 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DFN EP |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5.1(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.05(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 13.5@Q 1|17.5@Q 2 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-DFN (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1150pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9.7nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 系列 | NTMFD4902NF |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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